SK Hynix анонсировала память HBM2E с рекордной пропускной способностью
Компания SK Hynix сообщила о том, что разработала микросхемы памяти HBM2E, которые вдвое более ёмкие и в полтора раза быстрее, чем HBM2. Микросхемы этой памяти основаны на восьми 16-гигабитных (2 ГБ) слоях. Скорость обмена данными составляет 460 ГБ/сек (при наличии 1024-битного интерфейса).
Сайт ноотехника.рф использует файлы cookie для улучшения работы и предоставления вам более релевантной информации.
Подробнее о том, какие данные мы собираем, читайте в нашей Политике конфиденциальности.
