Ученые в Новосибирске создали самую быструю в мире флешку
Новосибирские ученые Института физики полупроводников имени Ржанова СО РАН, заявили, что создали самую быструю флешку вВ мире. Устройство памяти создано наВ основемультиграфена. Принцип ее действия основан наВ впрыскивании и хранении электрического заряда вВ запоминающей среде.
Сайт ноотехника.рф использует файлы cookie для улучшения работы и предоставления вам более релевантной информации.
Подробнее о том, какие данные мы собираем, читайте в нашей Политике конфиденциальности.
